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ANSYS完成台积电对5nm FinFET工艺技术最新认证

发布: Simwe    来源:ANSYS    发布时间:2019-04-23    收藏】 【打印】  复制连接 【 】 我来说两句:(0逛逛论坛

2019年4月22日,匹兹堡讯ANSYS (NASDAQ: ANSS)和 台积电 宣布通过全新认证以及一系列全面的半导体设计解决方案帮助双方共同的客户在移动、网络、5G、人工智能(AI)、云计算以及数据中心应用中满足不断增长的新一代创新需求。

这些尖端应用的发展正在刷新电源与热约束环境中的性能极限。AI应用包括在云端和边缘应用中的训练与推断数据集,需要具有更高功能性的高功耗、高性能处理器。

台积电通过其最新5nm FinFET 工艺技术认证 ANSYS® RedHawk™ANSYS® Totem™多物理场解决方案。该认证包括提取、电源完整性及可靠性、信号电迁移(信号EM)和热可靠性分析以及统计EM预算(SEB)分析。这些认证针对移动及高性能计算应用进行了优化,可为台积电最高级的工艺技术实现低功耗设计解决方案。

台积电设计基础架构管理部高级总监Suk Lee表示:“ANSYS解决方案通过了台积电业界领先的5nm FinFET、7nm和7nm FinFET+工艺认证,可帮助我们双方共同的客户更自信地验证核实其设计,解决不断增长的性能、可靠性及功耗难题。我们与ANSYS的合作成果斐然,这可帮助我们的客户在以领先AI、数据中心、云计算和移动应用为主的高增长市场上不断取得成功。”

ANSYS总经理John Lee表示:“多物理场分析有助于芯片在7nm及以下FinFET设计中取得成功。与台积电合作,帮助我们共同的客户使用我们的解决方案实现他们的功耗、性能、面积及可靠性目标,我们深感自豪。”

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