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ANSYS解决方案通过UMC的 先进14nm工艺技术认证

发布: Simwe    来源:ANSYS    发布时间:2018-07-09    收藏】 【打印】  复制连接 【 】 我来说两句:(0逛逛论坛

UMC和ANSYS针对UMC最新的FinFET技术推出一系列综合设计解决方案

ANSYS宣布ANSYS RedHawkTM 和ANSYS  Totem TM 通过了UMC的先进14nm FinFET工艺技术认证。通过工艺认证和一系列综合半导体设计解决方案,ANSYS和UMC能够支持双方共同的客户满足新一代移动和高性能计算(HPC)应用领域日益增长的要求。

UMC对ANSYS技术的认证涵盖提取、电源完整性和可靠性、信号电迁移(信号EM)和自发热分析等方面。相对于28nm工艺技术而言,UMC的14nm FinFET技术可将性能提高55%,功耗降低50%,从而理想适用于需要更高功能、性能和低功耗的应用。

UMC的知识产权开发和设计支持部门总监T.H.Lin指出:“UMC不断改进其设计支持组合,以帮助客户缩短设计时间,并加速产品上市进程。通过与ANSYS携手合作,双方共同的客户可利用ANSYS多物理场仿真技术的优势来优化设计方案,从而改进性能,减少过度设计。”

ANSYS的总经理John Lee指出:“对于亚16nm工艺而言,功率、可靠性和热问题等各种多物理场效应的相互影响对于设计收敛构成巨大挑战。ANSYS的半导体解决方案专门适用于多物理场优化,而UMC的认证有助于双方共同的客户利用经过严格测试和准确性基准验证的ANSYS解决方案,从而加速推动设计收敛。”
 
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